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CL11 N3 8GB DDR3 1600MHz 노트북 램 노트북 204 핀

기본 정보
원래 장소: 중국
브랜드 이름: faspeed
모델 번호: n3
최소 주문 수량: 100개
상세 정보
램: 8GB DDR3 1600 전압: 1.35볼트
잠복: CL11 ECC 유형 언버퍼드: 비 ECC
테스트: 시험된 100% 핀: 204 핀
하이 라이트:

CL11 8GB DDR3 1600MHz 노트북 램

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N3 8GB DDR3 1600MHz 노트북 램

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204 핀 8gb ddr3 1600mhz 노트북 램


제품 설명

Faspeed N3 8GB DDR3 램 1600MHz 노트북 노트북 메모리

 

  • 제조사에서
    울트라북용 시그니처 DDR3 SODIMM 업그레이드
    패트리어트 메모리 시그니처 DDR3 울트라북 SODIMM
    Ultrabook 에코시스템에 대한 완벽한 성능 향상.크게 보기

    패트리어트 메모리 시그니처 DDR3 울트라북 SODIMM
    울트라북 SODIMM 모듈용 faspeed 메모리는 모든 울트라북급 노트북을 위한 완벽한 업그레이드입니다.Intel의 3세대 모바일 프로세서와 호환되고 단 1.35볼트에서 실행되는 이 SODIMM 모듈은 매우 효율적인 성능을 제공하는 초저전력 소비에 최적화되어 있습니다.

    울트라북을 위해 특별히 설계된
    가장 역동적이고 강력한 모바일 컴퓨팅 플랫폼을 제공하는 Ultrabook은 최고 수준의 휴대성, 성능 및 엔터테인먼트를 제공합니다.울트라북은 모바일 컴퓨팅 경험을 진정으로 재정의하고 있습니다.이를 염두에 두고 Ultrabook SODIMM 모듈용 faspeed 메모리는 Ultrabook 에코시스템에 완벽한 성능 향상을 제공하도록 설계되었습니다.

    패트리어트 메모리 시그니처 DDR3 울트라북 SODIMM
    최고 품질의 부품으로 제작되었습니다.크게 보기
    초저전력
    1.35볼트에서 실행되는 Memory For Ultrabook SODIMM 모듈은 에너지 효율적인 성능을 제공하도록 최적화되어 있습니다.초저전력(ULP) 메모리 칩을 사용하여 이 모듈은 주변 구성 요소가 최적으로 실행되도록 낮은 작동 온도를 제공합니다.모듈은 더 넓은 호환성을 위해 1.5볼트 표준과 하위 호환됩니다.

    고품질 고정 재료 빌드
    울트라북용 faspeed 메모리 SODIMM 모듈은 가장 까다로운 모바일 애플리케이션을 위한 견고한 플러그 앤 플레이 성능을 소비자에게 제공하고 손으로 테스트한 최고 품질의 구성 요소로 제작되었습니다.이 키트는 또한 Patriot Memory 수상 경력에 빛나는 고객 지원의 지원을 받습니다.

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